SiO超疏水薄膜的制备和性能表征

被引：14

作者：

田辉

杨泰生

陈玉清

机构：

[1] 山东轻工业学院材料科学与工程学院

来源：

化工进展 | 2008年 / 09期

关键词：

SiO2薄膜; 相分离; 超疏水; 接触角;

D O I：

10.16085/j.issn.1000-6613.2008.09.029

中图分类号：

TB383.2 [];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 1406 ;

摘要：

采用溶胶-凝胶法、相分离及自组装技术,以正硅酸乙酯(TEOS)为硅前体,在硅溶胶中添加聚丙烯酸(PAA)引发相分离,通过控制PAA的含量来控制相分离的程度,从而制备出表面微结构可控制的SiO2薄膜。研究了聚丙烯酸含量对薄膜表面微结构及接触角的影响。用扫描电镜(SEM)对薄膜表面进行了表征,结果表明,SiO2薄膜表面粗糙度随着聚丙烯酸含量的增加而增加。最后用三甲基氯硅烷(TMCS)进行化学气相修饰,形成TMCS自组装单分子层,制备出接触角达158°的超疏水SiO2薄膜。

引用

页码：1435 / 1438

页数：4

共 12 条

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