薄膜生长的理论模型与Monte Carlo模拟

被引：24

作者：

杨宁

陈光华

张阳

公维宾

朱鹤孙

机构：

[1] 北京工业大学材料科学与工程学院!北京

[2] 北京理工大学材料科学研究中心!北京

来源：

物理学报 | 2000年 / 11期

基金：

北京市自然科学基金;

关键词：

薄膜生长; Monte Carlo方法; Morse势;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484 [薄膜物理学];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

用MonteCarlo方法模拟了薄膜的二维生长 .引入Morse作用势描述粒子间的相互作用情况 ,研究了相互作用范围α对薄膜生长初期形貌的影响 .薄膜的生长经历了由临界核的形成、团的长大、形成迷津结构到连续成膜 4个阶段 .模拟结果表明 ,随着沉积粒子数的增加 ,成团粒子所占百分比下降 .这与实际情况相符 .

引用

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