ZnO陶瓷薄膜的制备及其低压压敏性质

被引：9

作者：

黄焱球

刘梅冬

李楚容

曾亦可

刘少波

夏冬林

机构：

[1] 华中科技大学电子科学与技术系

[2] 华中科技大学电子科学与技术系武汉

[3] 武汉

来源：

压电与声光 | 2001年 / 05期

关键词：

掺杂ZnO陶瓷薄膜; 低压压敏电阻; 新型Sol-Gel法; 性能特征;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN384 [铁电及压电器件];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

利用新型 Sol- Gel法在镀有 Au底电极的单晶硅片上制备 Bi2 O3、Sb2 O3掺杂的 Zn O陶瓷薄膜。先驱体溶液由 Bi2 O3、Sb2 O3掺杂的 Zn O纳米粉体均匀分散于含有 Zn(CH3COO) 2 、Bi(NO3) 3及 Sb2 O3的溶胶中制成。薄膜由甩胶法制备 ,并由 40 0°C预烧、75 0°C退火。制得的陶瓷薄膜 Zn O结晶良好 ,并存在β- Bi2 O3、Zn2 Sb3Bi3O1 4 及Zn7Sb2 O1 2 相 ,表现出良好的低压压敏性质。厚约为 3μm的 Zn O陶瓷薄膜非线性系数α为 6 .2、压敏电压为 5 V、漏电流为 8μA。

引用

页码：384 / 386

页数：3

共 4 条

[1] 低压氧化锌压敏陶瓷的显微结构及其电学性能的研究 [J].