衬底温度对常压MOCVD生长的ZnO单晶膜的性能影响

被引：8

作者：

熊传兵

方文卿

蒲勇

戴江南

王立

莫春兰

江风益

机构：

[1] 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心

[2] 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心南昌

[3] 南昌

来源：

半导体学报 | 2004年 / 12期

关键词：

MOCVD; ZnO; X射线双晶衍射; 原子力显微镜; 光致发光;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.055 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

以 H2 O作氧源 ,Zn(C2 H5) 2 作 Zn源 ,N2 作载气 ,在 5 0 m m Al2 O3(0 0 0 1)衬底上采用常压 MOCVD技术生长出高质量的 Zn O单晶薄膜 .用 X射线双晶衍射、原子力显微镜和光致发光技术对样品进行了综合表征 ,报道了 Zn O单晶膜的 (10 2 )非对称衍射结果 .研究结果表明 ,在 5 0 0～ 70 0℃范围内随生长温度升高 ,Zn O薄膜的双晶摇摆曲线半峰宽增宽 ,表面粗糙度减小 ,晶粒尺寸增大 ,在衬底温度为 6 0 0℃时生长的 Zn O膜的深能级发射最弱 .

引用

页码：1628 / 1633

页数：6

共 5 条

[1] 射频磁控溅射ZnO薄膜的光致发光 [J].