C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度

被引：7

作者：

郜锦侠

张义门

汤晓燕

张玉明

机构：

[1] 西安电子科技大学微电子学院

来源：

物理学报 | 2006年 / 06期

关键词：

C-V法; SiC; 隐埋沟道MOSFET; 沟道载流子浓度;

D O I：

暂无

中图分类号：

O471 [半导体理论];

学科分类号：

摘要：

本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析.pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题.SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差.本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度.在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响.理论分析结果和实验测试结果相一致.

引用

页码：2992 / 2996

页数：5