激光束诱导电流在HgCdTe双色探测器工艺检测中的应用

被引：8

作者：

叶振华

胡晓宁

蔡炜颖

陈贵宾

廖清君

张海燕

何力

机构：

[1] 中国科学院上海技术物理研究所

[2] 中国科学院上海技术物理研究所上海

[3] 上海

来源：

红外与毫米波学报 | 2005年 / 06期

关键词：

激光束诱导电流; HgCdTe; 干法刻蚀; 双色探测器;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN247 [光检测技术];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

报道了激光束诱导电流(LB IC)在碲镉汞(HgCdTe)红外双色探测器工艺检测中的应用.通过LB IC测试,发现p型HgCdTe材料由B+离子注入损伤形成的n区面积大于其注入面积,并获得n区横向的精确分布.同时,运用LB IC,获得了p型HgCdTe材料因不同能量的等离子体干法刻蚀诱导的刻蚀台面侧壁工艺损伤形成的n区横向分布,并得到了n区横向宽度与等离子体能量的关系.

引用

页码：61 / 64

页数：4

共 9 条

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