SiC/AlN上外延GaN薄膜的黄带发光与晶体缺陷的关系

被引：22

作者：

范隆

郝跃

冯倩

段猛

机构：

[1] 西安电子科技大学微电子研究所,西安电子科技大学微电子研究所,西安电子科技大学微电子研究所,西安电子科技大学微电子研究所西安,中国科学院新疆物理研究所,乌鲁木齐,西安,西安,西安

来源：

光子学报 | 2003年 / 08期

关键词：

“黄带”发光(YL); 氮化镓(GaN); 晶体缺陷;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

080906 [电磁信息功能材料与结构];

摘要：

利用室温光致发光 (PL)技术研究了在 6H SiC (0 0 0 1)上用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)外延生长的GaN薄膜“黄带”发光 (YL)特点 ,与扫描电子显微镜 (SEM)、X射线衍射 (XRD)技术得到的GaN薄膜的表面形貌质量和内部结晶质量的结果相对照 ,表明“YL”发光强度与GaN薄膜的扩展缺陷多少直接相对应通过二次离子质谱 (SIMS)技术获取的GaN薄膜中Ga元素深度分布揭示出镓空位 (VGa)最可能是“YL”发光的微观来源分析认为 ,虽然宏观扩展缺陷 (丝状缺陷、螺形位错等 )和微观点缺陷VGa及其与杂质的络合物 (complexes)都表现出与“YL”发射密切相关 ,但VGa及其与杂质的络合物更可能是“YL”发射的根本微观来源室温下获得的样品“YL”发射强度和光谱精细结构可用于分析GaN薄膜缺陷和晶体质量 .

引用

页码：977 / 980

页数：4

共 3 条

[1]

Correlation of biaxial strains, bound exciton energies, and defect microstructures in GaN films grown on AlN/6H-SiC(0001) substrates [J].