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EFFECTS OF EXTERNAL AND INTERNAL ELECTRIC FIELDS ON BORON ACCEPTOR STATES IN SILICON
被引:30
作者
:
WHITE, JJ
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
WHITE, JJ
机构
:
来源
:
CANADIAN JOURNAL OF PHYSICS
|
1967年
/ 45卷
/ 08期
关键词
:
D O I
:
10.1139/p67-218
中图分类号
:
O4 [物理学];
学科分类号
:
0702 ;
摘要
:
引用
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页码:2695 / &
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共 43 条
[41]
ABSORPTION-LINE BROADENING IN BORON-DOPED SILICON
[J].
WHITE, JJ
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WHITE, JJ
.
CANADIAN JOURNAL OF PHYSICS,
1967,
45
(08)
:2797
-&
[42]
WHITE JJ, 1967, THESIS U BRITISH COL
[43]
ZEEMAN EFFECT OF IMPURITY LEVELS IN SILICON
[J].
ZWERDLING, S
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;
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LAX, B
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LAX, B
.
PHYSICAL REVIEW,
1960,
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(04)
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ABSORPTION-LINE BROADENING IN BORON-DOPED SILICON
[J].
WHITE, JJ
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WHITE, JJ
.
CANADIAN JOURNAL OF PHYSICS,
1967,
45
(08)
:2797
-&
[42]
WHITE JJ, 1967, THESIS U BRITISH COL
[43]
ZEEMAN EFFECT OF IMPURITY LEVELS IN SILICON
[J].
ZWERDLING, S
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ZWERDLING, S
;
BUTTON, KJ
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1960,
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