COMPARISON OF NEUTRON RADIATION TOLERANCE OF BIPOLAR AND JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS

被引：8

作者：

BUCHANAN, B

DOLAN, R

ROOSILD, S

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS | 1967年 / 55卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1967.6119

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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