COMPLEMENTARY GAAS SIS FET INVERTER USING SELECTIVE CRYSTAL REGROWTH TECHNIQUE BY MBE

被引：6

作者：

MATSUMOTO, K

OGURA, M

WADA, T

YAO, T

HAYASHI, Y

HASHIZUME, N

KATO, M

FUKUHARA, N

HIRASHIMA, H

MIYASHITA, T

机构：

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1986年 / 7卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1986.26337

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：182 / 184

页数：3

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