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- [11] PREPARATION AND PROPERTIES OF VAPOR-DEPOSITED EPITAXIAL GAAS1-XPX USING ARSINE AND PHOSPHINE[J]. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1966, 113 (07) : 724 - &TIETJEN, JJAMICK, JA
X-RAY TOPOGRAPHY AND DIODE EFFICIENCY OF VAPOR GROWN GAAS1-XPX LAYERS
被引：7
作者：
BARTELS, WJ
[1
]
BLOK, L
[1
]
BULLE, CWT
[1
]
机构：
[1] PHILIPS RES LABS,EINDHOVEN,NETHERLANDS
关键词：
D O I：
10.1016/0022-0248(76)90128-7
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ;
070205 ;
0703 ;
080501 ;
摘要：
引用
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页数：8
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