CORRESPONDENCE BETWEEN NONRADIATIVE DARK SPOTS, MICROPLASMA EMISSIONS, AND DISLOCATION PITS IN GAP-N LIGHT-EMITTING DIODES

被引：8

作者：

KAJIMURA, T ^{[1
]}

AIKI, K ^{[1
]}

UMEDA, J ^{[1
]}

机构：

[1] HITACHI LTD,CENT RES LAB,KOKUBUNJI 185,TOKYO,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2134064

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1559 / 1560

页数：2

共 6 条

[1] ETCHING OF DISLOCATIONS ON LOW-INDEX FACES OF GAAS [J].

ABRAHAMS, MS ;

BUIOCCHI, CJ .

[2] ETCHING STUDIES OF IMPURITY PRECIPITATES IN PULLED GAP CRYSTALS [J].

IIZUKA, T .

KISHINO, S ;

OGIRIMA, M ;

KAJIMURA, T ;

KURATA, K .

ROZGONYI, GA ;

AFROMOWITZ, MA .

[5] ETCH PIT STUDIES OF GAP LIQUID-PHASE EPITAXIAL LAYERS [J].

ROZGONYI, GA ;

LIZUKA, T .

[6] DISLOCATIONS IN GAAS1-XPX [J].

STRINGFELLOW, GB ;

GREENE, PE .