FORMATION OF DEEP HOLES IN SILICON BY REACTIVE ION ETCHING

被引：34

作者：

HIROBE, K ^{[1
]}

KAWAMURA, K ^{[1
]}

NOJIRI, K ^{[1
]}

机构：

[1] HITACHI MICROCOMP ENGN CO LTD,KODAIRA,TOKYO 187,JAPAN

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1987年 / 5卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1116/1.583955

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：594 / 600

页数：7

共 19 条

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