BITPAR - PROCESS-DERIVED BIPOLAR-TRANSISTOR PARAMETERIZATION

被引：1

作者：

MOINIAN, S ^{[1
]}

BROOKE, M ^{[1
]}

CHOMA, J ^{[1
]}

机构：

[1] AEROSPACE CORP,DEPT IC SYST,EL SEGUNDO,CA 90009

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1986年 / 21卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1986.1052526

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：344 / 352

页数：9

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共 32 条

[31] PN-PRODUCT IN SILICON [J].

SLOTBOOM, JW .

SOLID-STATE ELECTRONICS, 1977, 20 (04) :279-283

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