SELECTIVE REACTIVE ION ETCHING OF GAAS ON ALGAAS USING CCL2F2 AND HE

被引：46

作者：

SEABAUGH, A

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1988年 / 6卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1116/1.584056

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：77 / 81

页数：5

相关论文

共 12 条

[11] PLASMA PARAMETER-ESTIMATION FROM RF IMPEDANCE MEASUREMENTS IN A DRY ETCHING SYSTEM [J].

VANROOSMALEN, AJ .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1983, 42 (05) :416-418

[12] HIGHLY SELECTIVE REACTIVE ION ETCHING APPLIED TO THE FABRICATION OF LOW-NOISE ALGAAS GAAS-FETS [J].

VATUS, J ;

CHEVRIER, J ;

DELESCLUSE, P ;

ROCHETTE, JF .

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1986, 33 (07) :934-937