学术探索
学术期刊
新闻热点
数据分析
智能评审
立即登录
NOISE STUDIES IN UNIFORM AVALANCHE DIODES
被引:19
作者
:
HAITZ, RH
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
HAITZ, RH
VOLTMER, FW
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
VOLTMER, FW
机构
:
来源
:
APPLIED PHYSICS LETTERS
|
1966年
/ 9卷
/ 10期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.1754620
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
收藏
页码:381 / &
相关论文
共 4 条
[1]
AVALANCHE EFFECTS IN SILICON P-N JUNCTIONS .2. STRUCTURALLY PERFECT JUNCTIONS
[J].
GOETZBERGER, A
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
GOETZBERGER, A
;
SCARLETT, RM
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
SCARLETT, RM
;
HAITZ, RH
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
HAITZ, RH
;
MCDONALD, B
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
MCDONALD, B
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1963,
34
(06)
:1591
-+
[2]
HAITZ RH, UNPUBLISHED
[3]
HINES ME, 1966, IEEE T, VED13, P158
[4]
PROBLEMS RELATED TO P-N JUNCTIONS IN SILICON
[J].
SHOCKLEY, W
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
SHOCKLEY, W
.
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1961,
2
(01)
:35
-+
←
1
→
共 4 条
[1]
AVALANCHE EFFECTS IN SILICON P-N JUNCTIONS .2. STRUCTURALLY PERFECT JUNCTIONS
[J].
GOETZBERGER, A
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
GOETZBERGER, A
;
SCARLETT, RM
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
SCARLETT, RM
;
HAITZ, RH
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
HAITZ, RH
;
MCDONALD, B
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
MCDONALD, B
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1963,
34
(06)
:1591
-+
[2]
HAITZ RH, UNPUBLISHED
[3]
HINES ME, 1966, IEEE T, VED13, P158
[4]
PROBLEMS RELATED TO P-N JUNCTIONS IN SILICON
[J].
SHOCKLEY, W
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
SHOCKLEY, W
.
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1961,
2
(01)
:35
-+
←
1
→