COMPARISON OF MOS AND METAL-NITRIDE-SEMICONDUCTOR INSULATED GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS UNDER ELECTRON IRRADIATION

被引：18

作者：

STANLEY, AG

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1996.4324368

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：248 / +

页数：1

共 6 条

[1]

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