COMPARISON OF 300-V, 600-V, AND 1200-V N-CHANNEL INSULATED GATE TRANSISTORS

被引：6

作者：

CHOW, TP

BALIGA, BJ

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1985.26082

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：161 / 163

页数：3

共 16 条

[1]

Baliga B. J., 1982, International Electron Devices Meeting. Technical Digest, P264

BALIGA, BJ .

[3]

BALIGA BJ, 1979, ELECTRON LETT, V15, P645, DOI 10.1049/el:19790459

[4] FAST-SWITCHING INSULATED GATE TRANSISTORS [J].

BALIGA, BJ .

[5]

BALIGA BJ, 1984, IEEE ELECTR DEVICE L, V5, P323, DOI 10.1109/EDL.1984.25932

BALIGA, BJ ;

ADLER, MS ;

LOVE, RP ;

GRAY, PV ;

ZOMMER, ND .

[7]

BALIGA BJ, 1981, APPL SOLID STATE S2B

[8]

BALIGA BJ, UNPUB SOLID STATE EL

[9]

Chang M. F., 1983, International Electron Devices Meeting 1983. Technical Digest, P83

[10]

CHOO SC, 1970, IEEE T ELECTRON DEV, VED17, P647, DOI 10.1109/T-ED.1970.17051