CHEMICAL AND LP-ETCHING OF GALLIUM ANTIMONIDE SUBSTRATES

被引：1

作者：

PRAMATAROVA, LD ^{[1
]}

BAEVA, MB ^{[1
]}

YORDANOVA, IM ^{[1
]}

机构：

[1] HIGHER ELECTROENGN INST,VARNA,BULGARIA

来源：

关键词：

D O I：

10.1002/crat.2170200925

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：1253 / 1259

页数：7

共 5 条

[1]

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[2]

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[4]

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YORDANOVA, IM ;

PRAMATAROVA, LD .