SIMULTANEOUS FORMATION OF SILICIDE OHMIC CONTACTS AND SHALLOW P+-N JUNCTIONS BY ION-BEAM MIXING AND RAPID THERMAL ANNEALING

被引：22

作者：

KWONG, DL ^{[1
]}

MEYERS, DC ^{[1
]}

ALVI, NS ^{[1
]}

机构：

[1] GM CORP,DELCO ELECTR,KOKOMO,IN 46902

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1985年 / 6卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1985.26112

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：244 / 246

页数：3

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