THE DELTA-DOPED FIELD-EFFECT TRANSISTOR

被引：111

作者：

SCHUBERT, EF

PLOOG, K

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1985年 / 24卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.24.L608

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L608 / L610

页数：3

共 8 条

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