ANALYSIS OF C-V DATA IN ACCUMULATION REGIME OF MIS STRUCTURES

被引：8

作者：

LEHOVEC, K

LIN, ST

机构：

[1] UNIV SO CALIF,DEPT ELECT ENGN,LOS ANGELES,CA 90007

[2] UNIV SO CALIF,DEPT MAT SCI,LOS ANGELES,CA 90007

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(76)90178-7

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：993 / 996

页数：4

共 3 条

HYNECEK, J .

[2] ELECTRON-MOBILITY IN EPITAXIAL SILICON NEAR A SAPPHIRE SUBSTRATE [J].

LEHOVEC, K ;

LIN, ST .

ZIEGLER, K ;

KLAUSMANN, E .