CHARACTERIZATION OF VAPOR GROWN (001) GAAS1-XPX LAYERS BY SELECTIVE PHOTO-ETCHING

被引：8

作者：

BLOK, L ^{[1
]}

机构：

[1] PHILIPS RES LABS,EINDHOVEN,NETHERLANDS

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(75)90138-4

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：250 / 255

页数：6

共 6 条

[1] ETCHING OF DISLOCATIONS ON LOW-INDEX FACES OF GAAS [J].

ABRAHAMS, MS ;

BUIOCCHI, CJ .

[2] DISLOCATION MORPHOLOGY IN GRADED HETEROJUNCTIONS - GAAS1-XPX [J].

ABRAHAMS, MS ;

WEISBERG, LR ;

BUIOCCHI, CJ ;

BLANC, J .

[3]

BARTELS WJ, TO BE PUBLISHED

[4] SELECTIVE PHOTOETCHING OF GALLIUM-ARSENIDE [J].

KUHNKUHNENFELD, F .

MADER, S ;

BLAKESLEE, AE ;

ANGILELLO, J .

[6] DISLOCATIONS IN GAAS1-XPX [J].

STRINGFELLOW, GB ;

GREENE, PE .