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A NEW MOSFET STRUCTURE WITH SELF-ALIGNED POLYSILICON SOURCE AND DRAIN ELECTRODES

被引：10
作者：
OH, CS
KIM, CK
机构：
来源：
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1984年 / 5卷 / 10期
关键词：
D O I：
10.1109/EDL.1984.25963
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：400 / 402
页数：3
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共 6 条
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