JUNCTION AND OHMIC CONTACT FORMATION IN COMPOUND SEMICONDUCTORS BY RAPID ISOTHERMAL PROCESSING

被引：6

作者：

SINGH, R ^{[1
]}

RADPOUR, F ^{[1
]}

CHOU, P ^{[1
]}

NGUYEN, Q ^{[1
]}

JOSHI, SP ^{[1
]}

ULLAL, HS ^{[1
]}

MATSON, RJ ^{[1
]}

ASHER, S ^{[1
]}

机构：

[1] SOLAR ENERGY RES INST,GOLDEN,CO 80401

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS | 1987年 / 5卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1116/1.574506

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：1819 / 1823

页数：5