NUMERICAL-ANALYSIS OF HEAVY-ION PARTICLE-INDUCED CMOS LATCH-UP

被引：3

作者：

AOKI, T

KASAI, R

TOMIZAWA, M

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1986.26371

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：273 / 275

页数：3

共 6 条

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