LATCHUP IN CMOS DEVICES FROM HEAVY-IONS

被引：32

作者：

SOLIMAN, K

NICHOLS, DK

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1983.4333163

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：4514 / 4519

页数：6

共 5 条

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