TEMPERATURE-DEPENDENCE OF SUBTHRESHOLD VELOCITY-FIELD CHARACTERISTIC FOR EPITAXIAL INP

被引：6

作者：

MAJERFELD, A ^{[1
]}

POTTER, KE ^{[1
]}

ROBSON, PN ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV SHEFFIELD,DEPT ELECTR & ELECT ENGN,MAPPIN ST,SHEFFIELD S1 3JD,ENGLAND

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1975年 / 11卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19750061

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页数：2

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共 3 条

[1] TEMPERATURE-DEPENDENCE OF VELOCITY-FIELD CHARACTERISTIC OF ELECTRONS IN INP [J].

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