CLASSIFICATION OF MACROSCOPIC DEFECTS CONTAINED IN P-TYPE EFG RIBBON SILICON

被引：8

作者：

HO, CT

SANDSTROM, DB

DUBE, CE

机构：

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1986年 / 29卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(86)90070-5

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：495 / 503

页数：9

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共 22 条

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