INVARIANCE OF HALL-EFFECT MOSFET TO GATE GEOMETRY

被引：8

作者：

HEMMERT, RS ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,SYST DEV DIV,MANASSAS,VA 22110

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(74)90143-9

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1039 / &

共 8 条

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