VARIATION OF LATERAL DOPING AS A FIELD TERMINATOR FOR HIGH-VOLTAGE POWER DEVICES

被引：59

作者：

STENGL, R ^{[1
]}

GOSELE, U ^{[1
]}

FELLINGER, C ^{[1
]}

BEYER, M ^{[1
]}

WALESCH, S ^{[1
]}

机构：

[1] SIEMENS AG,DIV COMPONENTS 152,D-8000 MUNICH 46,FED REP GER

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1986.22505

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：426 / 428

页数：3

共 5 条

[1] BLOCKING CAPABILITY OF PLANAR DEVICES WITH FIELD LIMITING RINGS [J].

BRIEGER, KP ;

GERLACH, W ;

PELKA, J .

[2] BAMBI - A DESIGN-MODEL FOR POWER MOSFETS [J].

FRANZ, AF ;

FRANZ, GA .

[3] HIGH-VOLTAGE PLANAR P-N JUNCTIONS [J].

KAO, YC ;

WOLLEY, ED .

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS, 1967, 55 (08) :1409-+

ONEIL, VP ;

ALONAS, PG .

RUSU, A ;

PIETRAREANU, O ;

BULUCEA, C .