INFLUENCE OF SILICON SURFACE DEFECTS ON MOS RADIATION-SENSITIVITY

被引：9

作者：

HUGHES, HL ^{[1
]}

KING, EE ^{[1
]}

机构：

[1] USN,RES LAB,WASHINGTON,DC 20375

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1976年 / 23卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1976.4328542

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：1573 / 1579

页数：7

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