THE PLASMA-ETCHING OF POLYSILICON WITH CF3CL/ARGON DISCHARGES .1. PARAMETRIC MODELING AND IMPEDANCE ANALYSIS

被引:43
作者
ALLEN, KD
SAWIN, HH
MOCELLA, MT
JENKINS, MW
机构
[1] MIT,DEPT CHEM ENGN,CAMBRIDGE,MA 02139
[2] DUPONT CO,FREON PROD LAB,WILMINGTON,DE 19898
[3] DUPONT CO,DEPT ENGN,WILMINGTON,DE 19898
关键词
D O I
10.1149/1.2108400
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
摘要
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页码:2315 / 2325
页数:11
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