ELECTRON-CAPTURE COEFFICIENT OF NEUTRAL INDIUM IN SILICON

被引:6
作者
SUNDSTROM, BO [1 ]
HULDT, L [1 ]
NILSSON, NG [1 ]
机构
[1] ROY INST TECHNOL,PHYS DEPT 3,S-10044 STOCKHOLM,SWEDEN
关键词
D O I
10.1016/0038-1098(75)90721-8
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
摘要
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页数:4
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