HIGH-RESOLUTION ELECTRON-MICROSCOPY OF CAF2/SILICON INTERFACES

被引：27

作者：

PONCE, FA ^{[1
]}

ANDERSON, GB ^{[1
]}

OKEEFE, MA ^{[1
]}

SCHOWALTER, LJ ^{[1
]}

机构：

[1] GE,CTR RES & DEV,SCHENECTADY,NY 12301

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1986年 / 4卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1116/1.583553

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1121 / 1122

页数：2

共 3 条