DEFECT-FREE REACTIVE ION ETCHING OF SILICON BY SIF4/CL2 PLASMA

被引：4

作者：

MATSUMOTO, H ^{[1
]}

SUGANO, T ^{[1
]}

机构：

[1] NIPPON ELECT CO LTD,MICROELECTR RES LABS,MIYAMAE KU,KAWASAKI 213,JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS | 1983年 / 22卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.22.963

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：963 / 967

页数：5

共 7 条

[1]

BOYD H, 1979, SOLID STATE TECH APR, P133

[2] ION-SURFACE INTERACTIONS IN PLASMA ETCHING [J].

COBURN, JW ;

WINTERS, HF ;

CHUANG, TJ .

[3]

EMELEUS HJ, 1980, ADV INORG CHEM RADIO, V23, P182

[4] RIE CONTAMINATION OF ETCHED SILICON SURFACES [J].

EPHRATH, LM ;

BENNETT, RS .

KAY, E ;

DILKS, A .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1979, 16 (02) :428-430

[6]

OKANO H, 1981, PLASMA PROCESSING, P199

TIMMS, PL ;

KENT, RA ;

EHLERT, TC ;

MARGRAVE, JL .