CHARGE STORAGE MISFET MEMORY DEVICES

被引：3

作者：

KIM, MJ ^{[1
]}

机构：

[1] GE,SYRACUSE,NY 13201

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.13.1847

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1847 / 1858

页数：12

共 24 条

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