CHARACTERISTICS OF SI-SIO2 INTERFACES BENEATH THIN SILICON FILMS DEFINED BY ELECTROCHEMICAL ETCHING

被引：4

作者：

KAMINS, TI ^{[1
]}

DEAL, BE ^{[1
]}

机构：

[1] FAIRCHILD CAMERA & INSTR CORP,RES & DEV LAB,PALO ALTO,CA 94304

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2134259

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：557 / 560

页数：4

共 6 条

DEAL, BE ;

SKLAR, M ;

GROVE, AS ;

SNOW, EH .

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KAMINS, TI .

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