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A 1.5-V DRAM FOR BATTERY-BASED APPLICATIONS
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作者
:
AOKI, M
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Hitachi Ltd, Kokubunji, Tokyo, Jpn
AOKI, M
ETOH, J
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Hitachi Ltd, Kokubunji, Tokyo, Jpn
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Hitachi Ltd, Kokubunji, Tokyo, Jpn
KAWAMOTO, Y
机构
:
[1]
Hitachi Ltd, Kokubunji, Tokyo, Jpn
来源
:
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS
|
1989年
/ 24卷
/ 05期
关键词
:
8;
D O I
:
10.1109/JSSC.1989.572581
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
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相关论文
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A 60-NS 16-MBIT CMOS DRAM WITH A TRANSPOSED DATA-LINE STRUCTURE
AOKI, M
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HITACHI LTD,RECH FONDAMENTALE RES LAB,KOKUBUNJI,TOKYO 185,JAPAN
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ITOH, K
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IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS,
1988,
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(05)
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AOKI M, 1988, FEB ISSCC, P238
[3]
A STORAGE-NODE-BOOSTED RAM WITH WORD-LINE DELAY COMPENSATION
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1982,
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DUAL-OPERATING-VOLTAGE SCHEME FOR A SINGLE 5-V 16-MBIT DRAM
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KIMURA S, 1988, DEC IEDM, P596
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KIMURA S, 1987, 19TH C SOL STAT DEV, P19
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共 8 条
[1]
A 60-NS 16-MBIT CMOS DRAM WITH A TRANSPOSED DATA-LINE STRUCTURE
AOKI, M
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AOKI M, 1988, FEB ISSCC, P238
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A STORAGE-NODE-BOOSTED RAM WITH WORD-LINE DELAY COMPENSATION
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1982,
17
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DUAL-OPERATING-VOLTAGE SCHEME FOR A SINGLE 5-V 16-MBIT DRAM
HORIGUCHI, M
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IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS,
1988,
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IKENEGA S, 1988, AUG S VLSI CIRC DIG, P79
[6]
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KIMURA S, 1988, DEC IEDM, P596
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