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ELECTRICALLY CONDUCTING 2-LAYER RESIST SYSTEM USING AMORPHOUS-CARBON FILMS
被引:4
作者
:
KAKUCHI, M
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KAKUCHI, M
HIKITA, M
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HIKITA, M
SUGITA, A
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SUGITA, A
ONOSE, K
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ONOSE, K
TAMAMURA, T
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TAMAMURA, T
机构
:
来源
:
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
|
1986年
/ 133卷
/ 08期
关键词
:
D O I
:
10.1149/1.2109011
中图分类号
:
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
:
081704 ;
摘要
:
引用
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页码:1755 / 1756
页数:2
相关论文
共 3 条
[1]
AMORPHOUS-CARBON FILMS AS RESIST MASKS WITH HIGH REACTIVE ION ETCHING RESISTANCE FOR NANOMETER LITHOGRAPHY
KAKUCHI, M
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KAKUCHI, M
HIKITA, M
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HIKITA, M
TAMAMURA, T
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TAMAMURA, T
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1986,
48
(13)
: 835
-
837
[2]
LOW-TEMPERATURE CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION METHOD UTILIZING AN ELECTRON-CYCLOTRON RESONANCE PLASMA
MATSUO, S
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MATSUO, S
KIUCHI, M
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KIUCHI, M
[J].
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS,
1983,
22
(04):
: L210
-
L212
[3]
MORITA M, 1985, J ELECTROCHEM SOC, V131, P2402
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共 3 条
[1]
AMORPHOUS-CARBON FILMS AS RESIST MASKS WITH HIGH REACTIVE ION ETCHING RESISTANCE FOR NANOMETER LITHOGRAPHY
KAKUCHI, M
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KAKUCHI, M
HIKITA, M
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HIKITA, M
TAMAMURA, T
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TAMAMURA, T
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1986,
48
(13)
: 835
-
837
[2]
LOW-TEMPERATURE CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION METHOD UTILIZING AN ELECTRON-CYCLOTRON RESONANCE PLASMA
MATSUO, S
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MATSUO, S
KIUCHI, M
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KIUCHI, M
[J].
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS,
1983,
22
(04):
: L210
-
L212
[3]
MORITA M, 1985, J ELECTROCHEM SOC, V131, P2402
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