THERMOMIGRATION OF ALUMINUM-RICH LIQUID WIRES THROUGH SILICON

被引：30

作者：

CLINE, HE ^{[1
]}

ANTHONY, TR ^{[1
]}

机构：

[1] GE,CTR RES & DEV,SCHENECTADY,NY 12308

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1976年 / 47卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1063/1.323009

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：2332 / 2336

页数：5

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共 24 条

[21]

PFANN WG, 1955, T AM I MIN MET ENG, V203, P961

[22] GROWTH OF GAP CRYSTALS + P-N JUNCTIONS BY TRAVELING SOLVENT METHOD [J].

WEINSTEIN, M ;

MLAVSKY, AI .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1964, 35 (06) :1892-&

[23]

WERNICK JH, 1957, T AM I MIN MET ENG, V209, P1169

[24]

WRIGHT MA, 1965, J ELECTROCHEM SOC, V112, P1115