QUANTITATIVE PHOTOELASTIC MEASUREMENT OF RESIDUAL STRAINS IN UNDOPED SEMI-INSULATING GALLIUM-ARSENIDE

被引：35

作者：

YAMADA, M

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.96166

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：365 / 367

页数：3

共 7 条

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