EFFECTS OF DEFECTS AND IMPURITIES IN STARTING MATERIAL ON RADIATION HARDNESS OF CMOS-SOS DEVICES

被引：2

作者：

PEEL, JL ^{[1
]}

BARRY, MD ^{[1
]}

GREEN, LG ^{[1
]}

机构：

[1] ROCKWELL INT,ANAHEIM,CA 92803

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1976.4328546

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1594 / 1598

页数：5

共 6 条

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