TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE NONIDEAL COMPONENT OF BASE CURRENT IN MICROPOWER N-P-N TRANSISTORS

被引:5
作者
GONZALEZBRIS, C [1 ]
MUNOZ, E [1 ]
机构
[1] UNIV POLITECN MADRID,ETSI TELECOMMUN,DEPT ELECTR,MADRID 3,SPAIN
关键词
D O I
10.1109/T-ED.1984.21740
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页码:1503 / 1505
页数:3
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