INFLUENCE OF SOURCE-DRAIN SERIES RESISTANCE ON MOSFET FIELD-EFFECT MOBILITY

被引：17

作者：

CABONTILL, B

GHIBAUDO, G

CRISTOLOVEANU, S

机构：

[1] Ecole Natl Superieure d'Electronique, et de Radio-Electricite de Grenoble,, Lab de Physique des Composants a, Ecole Natl Superieure d'Electronique et de Radio-Electricite de Grenoble, Lab de Physique des Compo

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1985年 / 21卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19850324

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：457 / 458

页数：2

共 4 条

[1] CHUHAO, SOLID STATE ELECTRON
[2] AGING OF SUB-MICRON MOS-TRANSISTORS AFTER ELECTRICAL STRESS
CRISTOLOVEANU, S
CABONTILL, B
KANG, KN
GENTIL, P
GAUTIER, J
[J]. REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUEE, 1984, 19 (11): : 933 - 939
[3] MOS DEVICE AND TECHNOLOGY CONSTRAINTS IN VLSI
ELMANSY, Y
[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1982, 29 (04) : 567 - 573
[4] ELECTRON-MOBILITY IN SHORT-CHANNEL MOSFETS WITH SERIES RESISTANCES
RISCH, L
[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1983, 30 (08) : 959 - 961

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