CONTROL OF SLIP IN HORIZONTAL SILICON EPITAXY WITH PROFILED SUSCEPTORS

被引：6

作者：

GOEMANS, AH ^{[1
]}

VANRUYVEN, LJ ^{[1
]}

机构：

[1] NV PHILIPS GLOEILAMPENFABRIEKEN,SEMICOND DEV LABS,NIJMEGEN,NETHERLANDS

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(75)90145-1

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：308 / 311

页数：4

共 6 条

[1] SLIP IN SILICON EPITAXY [J].

BLOEM, J ;

GOEMANS, AH .

[2] LOW-FREGUENCY INDUCTION HEATING FOR CRYSTAL GROWING [J].

DUNCAN, CS ;

HOPKINS, RH ;

MAZELSKY, R .

HUFF, HR ;

BRACKEN, RC ;

REA, SN .

[4]

Penning P., 1958, PHILIPS RES REP, V13, P79

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SIRTL E, 1961, Z METALLKD, V52, P529

YAMAGISHI, S .