GROWTH OF UNIFORM SUBMICRON GAAS LAYERS BY LIQUID-PHASE EPITAXY

被引：11

作者：

MORKOC, H ^{[1
]}

EASTMAN, LF ^{[1
]}

机构：

[1] CORNELL UNIV,SCH ELECT ENGN,ITHACA,NY 14853

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2132965

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：906 / 912

页数：7

共 20 条

[1]

BARRERA J, COMMUNICATION

[2]

BARRERA J, 1975, 5TH P BIENN CORN EL, P135

[3]

CHO AY, COMMUNICATION

CROSSLEY, I ;

SMALL, MB .

CROSSLEY, I ;

SMALL, MB .

DAWSON, LR .

[7]

HSIEH JJ, 1974, J CRYST GROWTH, V27, P49, DOI 10.1016/0022-0248(74)90418-7

[8]

IMMORLICA A, COMMUNICATION

[9]

LEHOVEC K, 1975, S GAAS RELATED COMPO, P292

[10]

Minden H. T., 1970, Journal of Crystal Growth, V6, P228, DOI 10.1016/0022-0248(70)90071-0