DIMER-ADATOM-STACKING-FAULT (DAS) AND NON-DAS (111) SEMICONDUCTOR SURFACES - A COMPARISON OF GE(111)-C (2X8) TO SI(111)-(2X2), SI(111)-(5X5), SI(111)-(7X7), AND SI(111)-(9X9) WITH SCANNING TUNNELING MICROSCOPY

被引:195
作者
BECKER, RS
SWARTZENTRUBER, BS
VICKERS, JS
KLITSNER, T
机构
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1989年 / 39卷 / 03期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.39.1633
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
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页码:1633 / 1647
页数:15
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