EFFECTS OF BIAS ON RADIATION-INDUCED DEFECTS IN MOS OXIDES - AN ELECTRON-SPIN-RESONANCE STUDY

被引:12
作者
CARLOS, WE
机构
关键词
D O I
10.1016/0168-583X(84)90096-X
中图分类号
TH7 [仪器、仪表];
学科分类号
0804 ; 080401 ; 081102 ;
摘要
引用
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页数:4
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