A HIGH-RESOLUTION EELS STUDY OF FREE-CARRIER VARIATIONS IN H2+/H+ BOMBARDED (100)GAAS

被引:25
作者
DUBOIS, LH
SCHWARTZ, GP
机构
来源
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1984年 / 2卷 / 02期
关键词
D O I
10.1116/1.582926
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
收藏
页码:101 / 106
页数:6
相关论文
共 21 条
[21]   ANNEALING BEHAVIOR OF DAMAGE INTRODUCED IN GAAS BY REACTIVE ION-BEAM ETCHING [J].
YAMANE, Y ;
YAMASAKI, K ;
MIZUTANI, T .
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1982, 21 (09) :L537-L538